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              世輝電子(深圳)有限公司

              車規級碳化硅MOSFET,新能源汽車SiC-MOSFET,汽車電驅動SiC MOSFET模塊,充電樁電源...

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              公司介紹
               碳化硅功率模塊的優點
              Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模塊結合了成熟的工業標準功率模塊和封裝技術的優點。得益于多種封裝優化,碳化硅的各種優點得以充分利用。
              碳化硅功率模塊換向電感降低可以實現SiC MOSFET的全速開關。更高的開關速度可以轉換成更高的開關頻率,從而得到更小的磁性過濾器 元件。同時可以降低開關損耗,提高系統效率。精密的材料和封裝技術可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小,從而實現更高的功率密度。
              碳化硅功率模塊的關鍵特性
              更高的開關頻率,夠優化濾波元件并降低其成本
              冷卻設備更緊湊,降低功率損耗,從而提升效率并降低系統成本和規模
              的碳化硅SiC MOSFET芯片
              標準工業封裝,按照碳化硅的要求進行優化:電感,低熱阻
              針對實際應用優化芯片組 
              碳化硅功率模塊的應用 
              太陽能逆變器:升壓電路和逆變器應用
              儲能系統:大效率和低噪聲
              UPS:高效雙轉換系統
              電機驅動器:主動前端與電機側(混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全橋和半橋)
              電源:牽引應用、感應加熱等的助電源
              領先的芯片和封裝技術,實現能效
              混合碳化硅模塊:功率損耗降低50%,用簡便
              IGBT開關與碳化硅肖特基二極管相結合
              幾乎沒有二極管損耗,并顯著... [詳細介紹]
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